| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SGB8206ANT4G |
ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT N-CH 20A 350V D2PAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SGB8206ANTF4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | |
| SGC3S030 | Sprague-Goodman | 2000 | CAP TRIMMER 1.2-3PF 500V SMD | ... | |
| SGC3S060 | Sprague-Goodman | 2000 | CAP TRIMMER 2.2-6PF 500V SMD | ... | |
| SGB8206ANSL3G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | |
| SGB30N60 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 41A 250W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| SGB20N60 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 40A 179W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... |
