| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NGB8206ANSL3G |
ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+2800 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NGB8206ANT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+50400 | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... |
| NGB8206ANTF4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+3500 | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... |
| NGB8206N | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | |
| NGB8204NT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... | |
| NGB8204NT4 | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... | |
| NGB8204ANT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+3200 | IGBT IGNIT N-CH 18A 430V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... |
