| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
NGB8207ABNT4G |
ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NGB8207ANT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+4000 | IGBT IGNIT N-CH 350V 20A D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... |
| NGB8207BNT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... | |
| NGB8207NT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... | |
| NGB8206NTF4 | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNIT NCHAN 20A 400V D2PAK3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | |
| NGB8206NT4 | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNITION 20A 350V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | |
| NGB8206NG | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... |
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