| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGB30N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGB30N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGB30N6S2DT | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGB30N6S2T | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGB3236_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH IGNITION 360V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：360V Vge, Ic... | ||
| FGB40N60SM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 80A D2PAK | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| FGB40N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGB40N6S2T | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGB5N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 10A D2PAK | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| FGB7N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+1200 | IGBT NPT 600V 14A D2PAK | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGD2N40L | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CH 400V LL DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, Ic... | ||
| FGD3040G2 | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, Ic... | ||
| FGD3440G2 | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, Ic... | ||
| FGD3N60LSDTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 3329+5000 | IGBT N-CH 600V FOR HID APP DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| FGD4536TM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+950000 | IGBT PDP 360V 50A DPAK | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：360V Vge, I... | |
| FGH20N60SFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 429+1800 | IGBT 600V 40A TO-247 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGH20N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 170+300 | IGBT 600V 40A TO-247 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGH20N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO247 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGH20N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO247 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGH25N120FTDS | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 0+3300 | IGBT 1200V 25A FIELD STOP TO-247 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... |
