| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FGB30N6S2T |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FGB3236_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH IGNITION 360V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：360V Vge, Ic... | |
| FGB40N60SM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 80A D2PAK | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGB40N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| FGB30N6S2DT | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| FGB30N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| FGB30N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... |
