型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FGB40N6S2 |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 询价QQ: |
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简述:IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB 参考包装数量:400 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FGB40N6S2T | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic... | |
FGB5N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | IGBT NPT 600V 10A D2PAK | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ... | |
FGB7N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 0+1200 | IGBT NPT 600V 14A D2PAK | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ... |
FGB40N60SM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | IGBT NPT 600V 80A D2PAK | IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ... | |
FGB3236_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | IGBT N-CH IGNITION 360V D2PAK | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):360V Vge, Ic... | |
FGB30N6S2T | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic... |