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CPC5603C

IXYS Integrated Circuits Division TO-261-4,TO-261AA
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简述:MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
参考包装数量:200
参考包装形式:管件

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CPC5603C参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):415V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14 欧姆 @ 50mA,350mV
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 0V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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