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CMF20120D

Cree Inc TO-247-3 430
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简述:SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与CMF20120D相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CMF20120R00GKEK Vishay Dale 轴向 RES 120 OHM 1W 2% AXIAL 电阻(欧姆):120 功率(瓦特):1W 复合体:金属薄膜 特点:阻燃涂层 温度...
CMF20120R00JNEA Vishay Dale 轴向 RES 120 OHM 1W 5% AXIAL 电阻(欧姆):120 功率(瓦特):1W 复合体:金属薄膜 特点:阻燃涂层 温度...
CMF20120R00JNR6 Vishay Dale 轴向 RES 120 OHM 1W 5% AXIAL 电阻(欧姆):120 功率(瓦特):1W 复合体:金属薄膜 特点:阻燃涂层 温度...
CMF20110R00GKEK Vishay Dale 轴向 RES 110 OHM 1W 2% AXIAL 电阻(欧姆):110 功率(瓦特):1W 复合体:金属薄膜 特点:阻燃涂层 温度...
CMF20110K00GKRE Vishay Dale 轴向 RES 110K OHM 1W 2% AXIAL 电阻(欧姆):110k 功率(瓦特):1W 复合体:金属薄膜 特点:阻燃涂层 温...
CMF2010R000JNEK Vishay Dale 轴向 RES 10 OHM 1W 5% AXIAL 电阻(欧姆):10 功率(瓦特):1W 复合体:金属薄膜 特点:阻燃涂层 温度系...

CMF20120D参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:SiCFET N 通道,碳化硅
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):33A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):90.8nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1915pF @ 800V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔

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