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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CMF10120D
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CMF10120D

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简述:SIC MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与CMF10120D相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CMF12061MOHMS0.115PPM Riedon 1206(3216 公制) RES 1.0M OHM 1/4W .1% 1206 电阻(欧姆):1M 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:- ...
CMF2.1011.12 Schurter Inc MOD PWR ENTRY INLET C8 POL PCB ...
CMF2.1031.12 Schurter Inc MOD PWR ENTRY INLET C8 POL PCB ...
CMF1.1131.12 Schurter Inc MOD PWR ENTRY INLET C8 PCB PNL ...
CMF1.1111.12 Schurter Inc MOD PWR ENTRY INLET C8 PCB PNL ...
CMF1.1031.12 Schurter Inc MOD PWR ENTRY INLET C8 PCB PNL ...

CMF10120D参数资料

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FET 类型:SiCFET N 通道,碳化硅
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):24A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 10A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47.1nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):928pF @ 800V
功率 - 最大值:152W
安装类型:通孔

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