| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB8207ANT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+4000 | IGBT IGNIT N-CH 350V 20A D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... | |
| NGB8207BNT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... | ||
| NGB8207NT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... | ||
| NGB8245NT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1600 | IGBT N-CH 20A 490V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：490V Vge, Ic... | |
| NGD15N41ACLT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CH 15A 410V DPAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD15N41CLT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 15A 410V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD15N41CLT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 15A 410V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD18N40ACLBT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 430V 15A 115W DPAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... | ||
| NGD18N40CLBT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 18A 400V ESD DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... | ||
| NGD18N40CLBT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 18A 400V ESD DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... | ||
| NGD8201ANT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 440V 20A 125W DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD8201NT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD8201NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD8205ANT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2490+2500 | IGBT 390V 20A 125W DPAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | |
| NGD8205NT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| NGD8205NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| NGP15N41CL | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT N-CHAN 15A 410V TO220AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGP15N41CLG | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT N-CHAN 15A 410V TO220AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGTB15N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | 200+37290 | IGBT 1200V 15A FS1 TO-247-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | |
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | 20+960 | IGBT 1200V 15A FS1 TO-247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... |
