| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NGB8207NT4G |
ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NGB8245NT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1600 | IGBT N-CH 20A 490V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：490V Vge, Ic... |
| NGD15N41ACLT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CH 15A 410V DPAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | |
| NGD15N41CLT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 15A 410V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | |
| NGB8207BNT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... | |
| NGB8207ANT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+4000 | IGBT IGNIT N-CH 350V 20A D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... |
| NGB8207ABNT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：365V Vge, Ic... |
