| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH60N60SMD | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 78+5400 | IGBT 600V 60A TO-247 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGH60N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 118+600 | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGH60N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT N-CHAN SMPS 600V 75A TO247 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGH75N60SFTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT N-CH 600V 75A TO-247 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| FGH75N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 1012+1800 | IGBT N-CH 600V 75A TO-247 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGH80N60FD2TU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 1065 | IGBT 600V 80A TO-247 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGH80N60FDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 86 | IGBT 600V 80A TO-247 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGI3236_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | IGBT IGNITION N-CH 360V I2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：360V Vge, Ic... | ||
| FGI40N60SFTU | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | IGBT 80A 600V FIELD STOP I2PAK | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| FGL35N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3，TO-264AA | 294+3000 | IGBT 1200V 35A TO-264 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| FGL40N120ANDTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3，TO-264AA | 1296 | IGBT NPT 1200V 64A TO264 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| FGL40N120ANTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3，TO-264AA | 2506 | IGBT NPT 1200V 64A TO-264 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| FGL60N100BNTD | Fairchild Semiconductor | TO-264-3，TO-264AA | 325+750 | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 | IGBT 类型：NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V ... | |
| FGL60N100BNTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3，TO-264AA | 375 | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 | IGBT 类型：NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V ... | |
| FGL60N100DTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3，TO-264AA | IGBT 60A 1000V TO-264 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V Vge, ... | ||
| FGP10N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| FGP15N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | 0+1200 | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGP20N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | 856+5200 | IGBT 600V 40A TO-220 | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| FGP20N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO220AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGP20N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO220AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... |
