收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > FGP20N6S2D
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FGP20N6S2D

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO220AB
参考包装数量:400
参考包装形式:管件

与FGP20N6S2D相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FGP30N6S2 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGP30N6S2D Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGP40N6S2 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGP20N6S2 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGP20N60UFDTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 856+5200 IGBT 600V 40A TO-220 IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
FGP15N60UNDF Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+1200 IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...

FGP20N6S2D参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,7A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):28A
功率 - 最大:125W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别