| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R380E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 501 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPA65R420CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPA65R600C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPA65R600E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 502 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPA65R660CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPA90R1K0C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 437 | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPA90R1K2C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPA90R340C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPA90R500C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 412 | MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPA90R800C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 474 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB009N03LG | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPB010N06N | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSF N CH 60V 45A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPB011N04LG | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 2565 | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB011N04NG | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB014N06N | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSF N CH 60V 34A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPB015N04LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1942 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB015N04NG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 5000 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB016N06L3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPB017N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 3034 | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB019N06L3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
