型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
IPA65R380E6 |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
501 |
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA65R420CFD |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
|
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA65R600C6 |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
|
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA65R600E6 |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
502 |
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA65R660CFD |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
|
MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA90R1K0C3 |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
437 |
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA90R1K2C3 |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
|
MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA90R340C3 |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
|
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA90R500C3 |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
412 |
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPA90R800C3 |
Infineon Technologies
|
TO-220-3 整包 |
474 |
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB009N03LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB010N06N |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSF N CH 60V 45A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB011N04LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
2565 |
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB011N04NG |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB014N06N |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSF N CH 60V 34A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB015N04LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
1942 |
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB015N04NG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
5000 |
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB016N06L3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB017N06N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
3034 |
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB019N06L3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
1000 |
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |