型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB011N04NG |
Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 参考包装数量:1000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPB014N06N | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSF N CH 60V 34A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB015N04LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1942 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IPB015N04NG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 5000 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPB011N04LG | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | 2565 | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IPB010N06N | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSF N CH 60V 45A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB009N03LG | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |