| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB019N06L3G |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPB020N04NG | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 1000 | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB020NE7N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB021N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB017N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 3034 | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB016N06L3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB015N04NG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 5000 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
