型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
IPD12CNE8NG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPD12N03LBG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD135N03LG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
5000 |
MOSF N CH 30V 30A PG-TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD135N03LG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD135N08N3G |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPD13N03LAG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD144N06NG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPD14N06S2-80 |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPD15N06S2L-64 |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD160N04LG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD16CN10NG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPD16CNE8NG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPD170N04NG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPD180N10N3G |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
4661 |
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPD200N15N3G |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
5000 |
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
  |
IPD20N03L |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD20N03LG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD220N06L3G |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD22N08S2L-50 |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPD230N06NG |
Infineon Technologies
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |