型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD144N06NG |
Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-252 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPD14N06S2-80 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPD15N06S2L-64 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPD160N04LG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPD13N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPD135N08N3G | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPD135N03LG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |