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IPD180N10N3G

Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 4661
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简述:MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
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与IPD180N10N3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IPD180N10N3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):43A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 50V
功率 - 最大值:71W
安装类型:表面贴装

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