| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD180N10N3G |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 4661 | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD200N15N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD20N03L | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD20N03LG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD170N04NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD16CNE8NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD16CN10NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
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