收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMG3420U-7
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMG3420U-7

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 27000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMG3420U-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMG4406LSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 10000 MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG4413LSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 3129 MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
DMG4435SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG3415UFY4-7 Diodes Inc 3-XFDFN 6000 MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG3415U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 123000 MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG3414U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 21000 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMG3420U-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.47A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):434.7pF @ 10V
功率 - 最大值:740mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别