| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMG3415UFY4-7 |
Diodes Inc | 3-XFDFN | 6000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMG3420U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 27000 | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMG4406LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10000 | MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMG4413LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 3129 | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| DMG3415U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 123000 | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMG3414U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21000 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMG3401LSN-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P CH 30V 3A SC59 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
