| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD17527Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 0+80000 | MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| CSD17551Q3A | Texas Instruments | 8-VSON 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD17553Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 2500+82500 | MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD18501Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD18502KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | 990 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD18503KCS | Texas Instruments | 1000 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | ... | ||
| CSD18503Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD18504Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 2500 | MOSFET N-CH 40V 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 2500+70000 | MOSFET N-CH 60V 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD18532KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD18533KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | 980 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD18533Q5A | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 60V 17A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD18534KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD23201W10 | Texas Instruments | 4-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD25201W15 | Texas Instruments | 9-UFBGA，DSBGA | 0+42000 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD25301W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET PCH 20V 2.2A 1X1.5 6DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
