| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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CSD25301W1015 |
Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET PCH 20V 2.2A 1X1.5 6DSBGA 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| CSD25302Q2 | Texas Instruments | 6-SMD，扁平引线 | 13215 | MOSFET PCH -20V -5A 6SON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| CSD25303W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD25401Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 50897 | MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD25201W15 | Texas Instruments | 9-UFBGA，DSBGA | 0+42000 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| CSD23201W10 | Texas Instruments | 4-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
