收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CSD18504Q5A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

CSD18504Q5A

Texas Instruments 8-PowerTDFN 2500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 8SON
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与CSD18504Q5A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CSD18531Q5A Texas Instruments 8-PowerTDFN 2500+70000 MOSFET N-CH 60V 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD18532KCS Texas Instruments TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD18533KCS Texas Instruments TO-220-3 980 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD18503Q5A Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD18503KCS Texas Instruments 1000 MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 ...
CSD18502KCS Texas Instruments TO-220-3 990 MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

CSD18504Q5A参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.6 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1656pF @ 20V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别