| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH6341-TL-E | ON Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 0+144000 | MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CPH6347-TL-H | ON Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 0+21000 | MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CPH6350-TL-E | ON Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 0+18000 | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CPH6354-TL-H | ON Semiconductor | SC-74，SOT-457 | 0+42000 | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CPH6355-TL-H | ON Semiconductor | SC-74，SOT-457 | 0+3384000 | MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CPH6411-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 20V 6A CPH6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CPH6429-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 60V 2A CPH6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CPH6434-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6A CPH6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CPH6442-TL-E | ON Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CPH6443-TL-H | ON Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CPH6444-TL-E | ON Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CPH6445-TL-E | ON Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | 6-SMD，扁平引线 | 15000+612000 | MOSFET N-CH 25V 6-SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 2500 | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 5000 | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 2500 | MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| CSD16322Q5C | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 5000 | MOSFET N-CH 25V 97A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 15000 | MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 3044 | MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
