型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
CPH6341-TL-E |
ON Semiconductor
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
0+144000 |
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6347-TL-H |
ON Semiconductor
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
0+21000 |
MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6350-TL-E |
ON Semiconductor
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
0+18000 |
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6354-TL-H |
ON Semiconductor
|
SC-74,SOT-457 |
0+42000 |
MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6355-TL-H |
ON Semiconductor
|
SC-74,SOT-457 |
0+3384000 |
MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6411-TL-E |
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
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SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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MOSFET N-CH 20V 6A CPH6 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6429-TL-E |
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
|
MOSFET N-CH 60V 2A CPH6 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6434-TL-E |
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
|
MOSFET N-CH 30V 6A CPH6 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6442-TL-E |
ON Semiconductor
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
|
MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6443-TL-H |
ON Semiconductor
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6444-TL-E |
ON Semiconductor
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
|
MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CPH6445-TL-E |
ON Semiconductor
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
|
MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
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CSD16301Q2 |
Texas Instruments
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6-SMD,扁平引线 |
15000+612000 |
MOSFET N-CH 25V 6-SON |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CSD16321Q5 |
Texas Instruments
|
8-TDFN 裸露焊盘 |
2500 |
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CSD16321Q5C |
Texas Instruments
|
8-TDFN 裸露焊盘 |
5000 |
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CSD16322Q5 |
Texas Instruments
|
8-TDFN 裸露焊盘 |
2500 |
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
CSD16322Q5C |
Texas Instruments
|
8-TDFN 裸露焊盘 |
5000 |
MOSFET N-CH 25V 97A 8SON |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
CSD16323Q3 |
Texas Instruments
|
8-TDFN 裸露焊盘 |
15000 |
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CSD16323Q3C |
Texas Instruments
|
8-TDFN 裸露焊盘 |
|
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
CSD16325Q5 |
Texas Instruments
|
8-TDFN 裸露焊盘 |
3044 |
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |