收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CSD16301Q2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

CSD16301Q2

Texas Instruments 6-SMD,扁平引线 15000+612000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 6-SON
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与CSD16301Q2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CSD16321Q5 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 2500 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD16321Q5C Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 5000 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD16322Q5 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 2500 MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD10060G Cree Inc TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - (Vr)(最大):600V 电流 - 平均整...
CSD10060A Cree Inc TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - (Vr)(最大):600V 电流 - 平均整...
CSD10030A Cree Inc TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - (Vr)(最大):300V 电流 - 平均整...

CSD16301Q2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.55V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):340pF @ 12.5V
功率 - 最大值:2.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别