收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CPH6350-TL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

CPH6350-TL-E

ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+18000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与CPH6350-TL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CPH6354-TL-H ON Semiconductor SC-74,SOT-457 0+42000 MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6355-TL-H ON Semiconductor SC-74,SOT-457 0+3384000 MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6411-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 20V 6A CPH6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6347-TL-H ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+21000 MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6341-TL-E ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+144000 MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6337-TL-E ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+3000 MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

CPH6350-TL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 10V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别