| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002BK,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3000 | MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002BKM,315 | NXP Semiconductors | SC-101，SOT-883 | MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| 2N7002BKT,115 | NXP Semiconductors | SC-75，SOT-416 | 7299 | MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002BKW,115 | NXP Semiconductors | SC-70，SOT-323 | 9000 | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002CK,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002E | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 59827 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002E,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 438000 | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| 2N7002E-7-F | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 81000 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| 2N7002ET3G | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| 2N7002F,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 15100 | MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002-G | Comchip Technology | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| 2N7002K | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 75000+306000 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002K,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3153 | MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002K-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21000 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002K-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 69000 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：逻辑电平门 漏极至... | |
| 2N7002KT1G | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
