型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2N7002-E3 |
Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 参考包装数量:1000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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2N7002E-7-F | Diodes Inc | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2N7002ET1G | ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 81000 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
2N7002E,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 438000 | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
2N7002E | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 59827 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |