| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2N7002E |
Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 59827 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| 2N7002E,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 438000 | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2N7002-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002E-7-F | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| 2N7002DWL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2N-CH 60V 300MA SOT363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| 2N7002DWH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
