| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
DMN2300UFB4-7B |
Diodes Inc | 3-XFDFN | 20518 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN2300UFD-7 | Diodes Inc | 3-UDFN | 3000 | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2300UFL4-7 | Diodes Inc | * | MOSFET N-CH 20V DUAL DFN1310-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2400UFB4-7 | Diodes Inc | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN2300U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2230U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 19294 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2215UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 8058 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
