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DMN2215UDM-7

Diodes Inc SOT-23-6 8058
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简述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26
参考包装数量:1
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与DMN2215UDM-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN2230U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 19294 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2300U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2300UFB4-7B Diodes Inc 3-XFDFN 20518 MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN21D2UFB-7B Diodes Inc 3-XFDFN 10000 MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2170U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2114SN-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 10231 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN2215UDM-7参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:188pF @ 10V
功率 - 最大:650mW
安装类型:表面贴装

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