收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > DMN2300UFL4-7
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMN2300UFL4-7

Diodes Inc *
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V DUAL DFN1310-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:*

与DMN2300UFL4-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN2400UFB4-7 Diodes Inc 3-XFDFN MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2400UFB-7 Diodes Inc 3-XFDFN 3000 MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2400UFD-7 Diodes Inc * MOSFET N-CH 20V 900mA DFN1212-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2300UFD-7 Diodes Inc 3-UDFN 3000 MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2300UFB4-7B Diodes Inc 3-XFDFN 20518 MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2300U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN2300UFL4-7参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:195 毫欧 @ 300ma,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):950mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:64.3pF @ 25V
功率 - 最大:530mW
安装类型:*

最近更新

型号类别