型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN2400UFB4-7 |
Diodes Inc | 3-XFDFN | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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DMN2400UFB-7 | Diodes Inc | 3-XFDFN | 3000 | MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
DMN2400UFD-7 | Diodes Inc | * | MOSFET N-CH 20V 900mA DFN1212-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
DMN2400UV-7 | Diodes Inc | SOT-563,SOT-666 | 48000 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
DMN2300UFL4-7 | Diodes Inc | * | MOSFET N-CH 20V DUAL DFN1310-6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
DMN2300UFD-7 | Diodes Inc | 3-UDFN | 3000 | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
DMN2300UFB4-7B | Diodes Inc | 3-XFDFN | 20518 | MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |