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DMN2230U-7

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 19294
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简述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
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与DMN2230U-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN2300U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2300UFB4-7B Diodes Inc 3-XFDFN 20518 MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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DMN21D2UFB-7B Diodes Inc 3-XFDFN 10000 MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2170U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN2230U-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):188pF @ 10V
功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装

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