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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 I开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
IGW03N120H2 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
IGW08T120 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 16A 70W TO247-3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120...
IGW15N120H3 Infineon Technologies TO-247-3 76 IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
IGW15T120 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 30A 110W YO247-3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120...
IGW20N60H3 Infineon Technologies TO-247-3 240 IGBT 600V 20A 170W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IGW25N120H3 Infineon Technologies TO-247-3 997 IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
IGW25T120 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120...
IGW30N60H3 Infineon Technologies TO-247-3 240 IGBT 600V 30A 187W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IGW30N60T Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 600V 60A 187.0W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IGW40N120H3 Infineon Technologies TO-247-3 259 IGBT 1200V 80A 483.0W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
IGW40N60H3 Infineon Technologies TO-247-3 400 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IGW40T120 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 75A 270W TO247-3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120...
IGW50N60H3 Infineon Technologies TO-247-3 422 IGBT 600V 100A 333W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IGW50N60T Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 600V 100A 333W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IGW60T120 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 100A 375W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
IGW75N60T Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 600V 150A 428W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IHD06N60RA Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT 600V 12A 88.0W TO252-3 IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IHD10N60RA Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT 600V 20A 110W TO252-3 IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IHP10T120 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 1200V 16A 138W TO220-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
IHW15N120R2 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 30A 357W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...

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