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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 G开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
GT60N322(Q) Toshiba TO-3PL IGBT 1000V 57A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V Vge, I...
GT80J101B(Q) Toshiba TO-3PL IGBT 600V 80A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IGBT 400V 150A 8-TSSOP IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, Ic...
GT8G134(TE12L,Q) Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IGBT 400V 150A 8-TSSOP IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, Ic...

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