| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT100GF60JU2 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 43 | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | |
| APT100GF60JU3 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | ||
| APT100GN120J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT100GN120JDQ4 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 15 | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT100GT120JR | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 9 | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | |
| APT100GT120JRDL | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 48 | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | |
| APT100GT120JRDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 20 | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | |
| APT100GT120JU2 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 269 | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT100GT120JU3 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 17 | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT100GT60JR | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 31 | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | |
| APT100GT60JRDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 81 | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | |
| APT150GN120J | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 205 | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT150GN120JDQ4 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 50 | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT150GN60J | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 22 | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APT150GN60JDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | ||
| APT150GT120JR | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 40 | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | |
| APT200GN60J | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 46 | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APT200GN60JDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 64 | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APT200GN60JDQ4G | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | ||
| APT200GN60JG | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
