型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT100GF60JU3 |
Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 询价QQ: |
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简述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT100GN120B2G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 38 | IGBT 1200V 245A 960W TMAX | IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V... |
APT100GN120J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 10 | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
APT100GN120JDQ4 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 15 | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
APT100GF60JU2 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 43 | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V... |
APT100F50J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 10 | MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电... |
APT10090SLLG | Microsemi Power Products Group | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA | MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |