| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT200GN60J |
Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 46 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 283A 682W SOT227 参考包装数量：10 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT200GN60JDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 64 | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
| APT200GN60JDQ4G | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APT200GN60JG | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APT200GN60B2G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 5 | IGBT 600V 283A 682W TO247 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
| APT19M120J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 6 | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
| APT19F100J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 6 | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
