| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT150GN120J |
Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 205 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 215A 625W SOT227 参考包装数量：10 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT150GN120JDQ4 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 50 | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
| APT150GN60B2G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 26 | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
| APT150GN60J | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 22 | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
| APT14M120B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 96 | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT14M100B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| APT14F100B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
