型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT100GT60JRDQ4 |
Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 81 | 询价QQ: |
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简述:IGBT 600V 148A 500W SOT227 参考包装数量:10 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT100M50J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 60 | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电... |
APT100S20BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-2 | 191 | DIODE SCHOTTKY 120A 200V TO-247 | 二极管类型:肖特基 电压 - (Vr)(最大):200V 电流 - 平均整流 (... |
APT100S20LCTG | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 163 | DIODE SCHOTTKY 200V TO264 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):950mV @ 100A 电流 ... |
APT100GT60JR | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 31 | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V... |
APT100GT60B2RG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 30 | IGBT 600V 148A 500W SOT247 | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ... |
APT100GT120JU3 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 17 | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |