| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT100GF60JU2 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 43 | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | |
| APT100GF60JU3 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | ||
| APT100GN120J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT100GN120JDQ4 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 15 | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT100GT120JR | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 9 | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | |
| APT100GT120JRDL | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 48 | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | |
| APT100GT120JRDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 20 | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | |
| APT100GT120JU2 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 269 | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT100GT120JU3 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 17 | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APT100GT60JR | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 31 | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | |
| APT100GT60JRDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 81 | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | |
| APTGF50A120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 | IGBT 类型：NPT 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | ||
| APTGF50A120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 | IGBT 类型：NPT 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | ||
| APTGF50A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 | IGBT 类型：NPT 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | ||
| APTGF50DA120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1200V 75A 312W SP1 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | ||
| APTGF50DA120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 75A 312W SP4 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200... | ||
| APTGF50DDA120T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3 | IGBT 类型：NPT 配置：双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... | ||
| APTGF330SK60D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 600V 460A 1400W D3 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | ||
| APTGF330DA60D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 600V 460A 1400W D3 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... | ||
| APTGF330A60D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | 11 | IGBT NPT PHASE 600V 520A D3 | IGBT 类型：NPT 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... |
