| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK8A45DA(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TK8A50D(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TK8A50DA(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TK8A55DA(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TK8A60DA(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TK8A65D(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | 390 | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TK9A45D(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TK9A55DA(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TK9A60D(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TLC530FTU | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TLC530TU | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET N-CH 330V 7A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TN0200K-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 36000 | MOSFET N-CH 20V 730MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TN0201K-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 27309 | MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TN2404K-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TN2404K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 240V 200MA TO236 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TP0101K-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 39000 | MOSFET P-CH 20V 580MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TP0101K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH D-S 20V TO236 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TP0202K-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 18000 | MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TP0202K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH D-S 30-V | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
