收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TP0202K-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TP0202K-T1-E3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 18000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TP0202K-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TP0202K-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH D-S 30-V FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TP03 Crydom Co. THERMAL PAD TRIPLE PHASE ...
TP050F103Z-A-B Taiyo Yuden 轴向 CAP CER 10000PF 25V AXIAL 电容:10000pF 电压 - 额定:25V 容差:-20%,+80% 温度系数...
TP01-M Crydom Co. THERMAL PAD SINGLE PHASE ...
TP0101K-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH D-S 20V TO236 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TP0101K-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 39000 MOSFET P-CH 20V 580MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TP0202K-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):385mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):31pF @ 15V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别