| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPC8067-H,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8092,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8106-H(TE12L) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8106-H(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH SGL -30V -10A SOP-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8107(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 13A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8109(TE12L) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8109(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH SGL -30V -10A SOP-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8110(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8111(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8112(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 13A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8113(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8114(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8116-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8117(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8118(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8120(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8123(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8124(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 40V 12A 8SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8125,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
