| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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TPC8111(TE12L,Q,M) |
Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| TPC8112(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 13A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8113(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8114(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8110(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8109(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH SGL -30V -10A SOP-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8109(TE12L) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
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