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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TPC8111(TE12L,Q,M)
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TPC8111(TE12L,Q,M)

Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPC8111(TE12L,Q,M)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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TPC8114(TE12L,Q,M) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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TPC8109(TE12L) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPC8111(TE12L,Q,M)参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):107nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5710pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

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