| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPC6102(TE12L,F) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH SGL -30V -4.5A VS-6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC6103(TE85L,F,M) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC6104(TE85L,F,M) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC6105(TE85L,F,M) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC6107(TE85L,F,M) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC6108(TE85L,F,M) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TPC6109-H(TE85L,FM | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC6110(TE85L,F,M) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC6111(TE85L,F,M) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 2570 | MOSFET P-CH -20V -5.5A VS-6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| TPC6113(TE85L,F,M) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 5A VS6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8009-H(TE12L) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8009-H(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH SINGLE 30V 13A SOP-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TPC8013-H(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8017-H(TE12L) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8017-H(TE12LQ) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 2 | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8018-H(TE12L) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8018-H(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
