| 型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
| TPC6107(TE85L,F,M) |
Toshiba
|
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
|
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
 |
| TPC6108(TE85L,F,M) |
Toshiba
|
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
|
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压... |
|
| TPC6109-H(TE85L,FM |
Toshiba
|
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
|
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC6110(TE85L,F,M) |
Toshiba
|
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
|
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC6111(TE85L,F,M) |
Toshiba
|
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
2570 |
MOSFET P-CH -20V -5.5A VS-6 |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压... |
|
| TPC6113(TE85L,F,M) |
Toshiba
|
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
|
MOSFET P-CH 20V 5A VS6 |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8009-H(TE12L) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOP |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8009-H(TE12L,Q) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH SINGLE 30V 13A SOP-8 |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8012-H(TE12L,Q) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压... |
|
| TPC8013-H(TE12L,Q) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8014(TE12L,Q,M) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8017-H(TE12L) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8017-H(TE12LQ) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
2 |
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8018-H(TE12L) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8018-H(TE12L,Q) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8018-H(TE12LQM) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8020-H(TE12L,Q) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 13A SOP8 2-6J1B |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8021-H(TE12LQ,M |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8022-H(TE12LQ,M |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
| TPC8026(TE12L,Q,M) |
Toshiba
|
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源... |
|
