收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TPC8017-H(TE12L)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPC8017-H(TE12L)

Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPC8017-H(TE12L)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPC8017-H(TE12LQ) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 2 MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC8018-H(TE12L) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC8018-H(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC8014(TE12L,Q,M) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC8013-H(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC8012-H(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

TPC8017-H(TE12L)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.6 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1465pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别