| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RW1A020ZPT2R | Rohm Semiconductor | 6-WEMT | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| RW1C020UNT2R | Rohm Semiconductor | 6-WEMT | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| RZE002P02TL | Rohm Semiconductor | SC-75，SOT-416 | 24000 | MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RZF020P01TL | Rohm Semiconductor | 3-SMD，扁平引线 | MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| RZF030P01TL | Rohm Semiconductor | 3-SMD，扁平引线 | 5369 | MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RZL025P01TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD，扁平引线 | 3000 | MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RZL035P01TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD，扁平引线 | 6000 | MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| RZM002P02T2L | Rohm Semiconductor | SOT-723 | 24000 | MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RZQ045P01TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 3000 | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RZQ050P01TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 6000 | MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RZR020P01TL | Rohm Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| RZR025P01TL | Rohm Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RZR040P01TL | Rohm Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9000 | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| RZY200P01TL | Rohm Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
